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作為新型功率半導體器件的唐山主流器件，IGBT已廣泛應用于工業(yè)、市供4C（通信、塊正計算機、規(guī)機構(gòu)性消費電子、唐山汽車電子）、市供航空航天、塊正國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領域，規(guī)機構(gòu)性以及軌道交通、唐山新能源、市供智能電網(wǎng)、塊正新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領域。規(guī)機構(gòu)性
IGBT一般分為IGBT單管和IGBT模塊。唐山簡而言之IGBT電流密度高且功耗低，市供能夠提高能效、塊正降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。它們廣泛應用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應加熱設備、大型家電、焊接以及開關電源（SMPS）等領域。
在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制。
1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關斷狀態(tài)。
2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。
3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。
若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。
IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。
（作者：新聞中心）